外媒：华为提出批评了适用于3D-DRAM的CAA晶体管

集微网最新消息，当我国通信设备两大TCL提出了一种适用于3D-DRAM协作的向下通道全能（channel-all-around，CAA）晶体管。

据eeNews报道，该提案被构成在一篇学术论文当中，将在2022年IEEE超大规模半导体器件新科技和电路演讲会上草拟，该演讲会一月6月末12日至17日在夏威夷州圣荷西举行。

该器件是一种铟镓氧化锌（IGZO）场效应晶体管（FET），其IGZO、高k电磁场氧化硼和IZO层围绕一个向下柱排列。IGZO宽度大约为3nm。HfOx和IZO的宽度大约为8nm。向下顺时针的通道长度为55nm，平面内的临界尺寸为50nm。

该晶体管在Vth+1V时达到32.8microamps/micron的自由电荷，亚持续性摆幅为92mV/decade。

作者声称，在-40摄氏度到+120摄氏度之间，该晶体管具有良好的沸点和准确性，期望将会成为期望超越1-alpha节点的入门级3D-DRAM的候选其产品。

(校对/隐德莱希)